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世界で最初かつ現在でも唯一のStressfree
8N高純度銅を開発・製品化した日鉱マテリアルズ（旧ジャパンエナジー）の導体素材を採用。 このStressfree
8N高純度銅素材をさらに最高特性へと導くために、コストにとらわれない素材、膨大な経験と理論的根拠に基づく試作、
徹底した試聴の繰り返し。低域から超高域まで音調の揃ったフォノケーブルとしての完成度を追求しました。
オーディオケーブル分野をリードする（株）アクロジャパンの協力を得、エソテリックがプロデュースした世界最高純度の8N（99.999999％）高純度銅採用のフォノケーブルです。
世界で最初かつ現在でも唯一のStressfree
8N高純度銅を開発・製品化した日鉱マテリアルズ（旧ジャパンエナジー）の導体素材を採用。
このStressfree
8N高純度銅素材をさらに最高特性へと導くために、コストにとらわれない素材、膨大な経験と理論的根拠に基づく試作、徹底した試聴の繰り返し。
低域から超高域まで音調の揃ったフォノケーブルとしての完成度を追求しました。
オーディオケーブル分野をリードする（株）アクロジャパンの協力を得、エソテリックがプロデュースした世界最高純度の8N（99.999999％）高純度銅採用のフォノケーブルです
8N（99.999999%）の高純度銅を導体に採用
世界で最初かつ現在でも唯一の8N高純度銅を開発・製品化した日鉱マテリアルズの導体素材を採用。
8N高純度銅とは高度な品質保証を要求する半導体用途と同等の母材生産プロセスによって生産された、99.999999%の純度を有し、金属不純物のトータル含有量が0.01ppm程度以下である事を原則としています。純度の分析作業自体も高度なノウハウが必要とされ、日鉱マテリアルズの高精度分析技術により8Nの高純度銅が保証されています。
また、日鉱マテリアルズの8N高純度銅は純度を高め、結晶粒を大きくし、原子配列を極めて健全に仕上げ、原子配列のひずみ（ストレス）をほぼ完全に除去したストレスフリー加工です。
コネクター部はESOTERICフォノケーブルの最高特性を引き出すためにスペシャルオーダーで新設計
8N-Reference Phono
Cableのポテンシャルを最大限に生かす為、プラグの設計と素材などにも、ESOTERICケーブルのノウハウを加え、新たに設計。
トーンアームのコネクター部分に接続する5-Pinプラグは高価な稀少材ながら優れた音質を誇るベリリウム銅をムク材からくり抜いたコンタクトピンを採用。
音質検討の結果、銀メッキ10ミクロンの上に金メッキを施しています。内部絶縁体は誘導率の低いPTFE(ﾌｯ素樹脂)を使用し、信号の鮮度を損なうことなく絶縁性を高めています
。RCAプラグも5-Pinプラグと同様にセンターピンはベリリウム銅とし、銀メッキ10ミクロンの上にはロジウムメッキを施しました。 8N-Reference
Phono Cableの特性を余すところなく発揮し、繊細なアナログシグナルの伝送に貢献しています。プラグ本体部はエソテリックがMEXCELケーブルで開発した定評の
リン青銅削り出しとしています。外部ノイズ対策としてカーボンシェルを装着しています。フォノケーブルには極めて微細なレベルまでの振動コントロールが要求されますが、
8N-Reference Phono
Cableはケーブル分岐部に真鍮削り出しの重量級ケーブルスタビライザーを配置することで優れた制振性と信号の更なる高解像度化に貢献しています。
5-Pinプラグのスリーブ部を重量級の真鍮削り出しとすることで振動モードのコントロール性を高めています。
ケーブルの内部構造にもこだわりとノイズ対策を徹底
中心導体は素線全体をひとつに撚るのではなく、8NクラスCu素線（φ0.12×5本）で構成されるマルチストランディングワイヤー3セットをロープ撚りとする特殊な導体構造を採用。
素線間の密度を高め均一に撚り込まれた導体は線間歪みによる音質劣化を徹底排除。またシールドは6NCuのスパイラルシールドに加え、UEW（4N編組ポリウレタン被膜銅線）シールド層に
より徹底したノイズ対策が施されています。中心導体の約3倍におよぶ物量をシールド側に投入することで、そのスリムなケーブル外径からは想像できないほどダイナミックかつ繊細な
音質を獲得しています。
アナログレコード再生を前提に微少信号の忠実な伝送をテーマに開発された8N-Reference Phono
Cableは、静電容量を80pF/m（1kHz）、特性インピーダンスを50Ωとすることで 信号の駆動力を的確に伝え、俊敏なレスポンスを可能としています。
絶縁材にはポリオレフィンの発砲構造により優れた静電率を確保、低静電容量化による伝送ロスの低減を実現しています。
さらに、静電気対策については、数多くの試作を繰り返し、
内部絶縁体の外周に半導体層（カーボン層）を配置し、さらにホット側導体内部にもシルク糸を入れる事で、静電気の帯電を最小限に抑えています。
（8N-RPHの構造図） |
